苹果牵手英特尔,入门M芯片或由18A代工?iPhone芯片合作暗藏散热隐患

苹果牵手英特尔,M芯片或由18A代工?iPhone散热隐患暗藏危机

苹果 英特尔 M芯片 散热 iPhone

深度观察网2026年02月02日 14:04消息,苹果或用英特尔18A代工入门M芯片,合作存散热隐忧。

   近日,有关苹果与英特尔合作的消息持续引发业界关注。据多方消息透露,苹果正在考虑由英特尔代工部分M系列处理器以及非Pro版本的iPhone芯片。根据计划,预计2027年将量产的入门级M系列芯片,以及2028年推出的标准版iPhone芯片,可能会采用英特尔的18A-P制程工艺。

苹果牵手英特尔,入门M芯片或由18A代工?iPhone芯片合作暗藏散热隐患

   目前,苹果已与英特尔达成保密协议,并获取了其18A-P工艺的工艺设计套件样本,用于技术评估和适配验证。公开信息显示,18A-P是英特尔首个支持FoverosDirect三维混合键合技术的制程节点,该技术通过硅通孔实现多颗芯粒的垂直堆叠,有助于提升芯片集成密度和互连带宽。

   然而,业内多位资深专家对英特尔接手iPhone芯片代工业务持谨慎甚至否定的看法,核心争议点集中在背面供电技术(BSPD)。该技术通过在芯片背面布局更短、更粗的金属供电线路,减少电压降,从而实现更高的工作频率和更稳定的性能。台积电在部分先进制程中选择性采用BSPD技术,以平衡性能、功耗与散热之间的关系;而英特尔则在其最前沿的18A和14A制程中全面应用了BSPD架构。

   问题在于,BSPD技术对移动终端芯片的实际性能提升作用非常有限。相反,它所带来的热管理问题尤为明显:由于电源路径转移到了芯片背面,导致热量更容易在内部堆积,垂直方向的散热效率较低,而横向导热也受到结构设计的限制。在以被动散热为主、空间布局紧凑且温度控制要求严格的智能手机中,这种发热特性难以保证长时间的稳定运行,甚至可能引发降频或系统保护机制。

   因此,多数行业观点认为,短期内英特尔很难获得iPhone芯片的代工订单。相比之下,M系列处理器由于设备形态提供了更充足的散热空间和更强的主动散热能力,相关合作仍具有一定可行性。

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